砷化镓基增强型和耗尽型赝配高电子迁移率晶体管工艺定制晶圆 采购意向公示

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砷化镓基增强型和耗尽型赝配高电子迁移率晶体管工艺定制晶圆 采购意向公示

为便于供应商及时了解采购信息，现将我校快速采购意向公开如下：

1、项目概况：

（1）拟采购方式：上大迅采

（2）采购项目名称：砷化镓基增强型和耗尽型赝配高电子迁移率晶体管工艺定制晶圆

（3）预算金额：20.5万元

（4）采购需求概况：

采购砷化镓增强型和耗尽型赝配高电子迁移率晶体管（pHEMT）工艺定制晶圆1片，用于射频开关、低噪声放大器及多功能射频前端芯片的研发和性能验证。工艺需支持0.25μm增强型及0.5μm耗尽型pHEMT器件、PIN二极管、双层金属互连及MIM电容集成，MIM电容密度不低于0.6fF/μm2，击穿电压大于60V，支持晶圆减薄至100μm及背面通孔工艺。供应商需按设计版图完成晶圆制造，交付完整定制晶圆及相关质量证明材料。预计合同签订后6个月内交付，质量保证期不少于24个月。

（5）预计采购时间：2026年10月

（6）采购意向公示时间：**** ~ ****

2、联系方式：

采购人名称：点击登录查看

联系地址：上海市****

用户单位联系人：点击登录查看

联系电话：****

采购代理机构：点击登录查看

联系人：王欣怡、陈瑞麟、邓澍

联系电话：****、****、**** ****@shbid.com

联系地址：上海市****

采招中心监督员：谢金印

监督电话：021-6613 0721

本次公开的采购意向是本单位采购工作的初步安排，具体采购项目情况以相关采购公告和采购文件为准。