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半导体探测器制备工艺开发与器件制备招标公告(原标题: 半导体探测器制备工艺开发与器件制备)

全部类型北京2026年04月13日

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采购编号：

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报价截止日期：

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供应商资质要求：

供应商资质要求：拥有半导体洁净间，具备4/6/8英寸兼容的工艺加工能力，有成熟的离子注入，接触式曝光光刻等设备，磁控溅射、干法刻蚀等基础工艺，台阶仪、扫描电子显微镜等检测设备：近3年至少有1项包含离子注入的工艺服务业绩(以合同签订时间为准)，需提供合同关键页或验收报告；执行GB19001-2017质量体系，配备专业工艺开发团队，依据用户需求开展新工艺开发；

采购物品需求清单

序号	物品名称	品牌/生产商	指标需求	计量单位	采购数量	交货周期	交货地点	备注
1	半导体探测器制备工艺开发与器件制备		完成探测器制备工艺流程卡，基于硅片制备半导体探测器，具有阴极、阳极进行表征测试。工艺流程包含如下部分；（1）高阻硅片的清洗;(RCA清洗) （2）高温氧化形成绝缘层；800-1000nm （3）光刻并刻蚀形成阳极接口；刻蚀到80-100nm （4）离子注入形成阳极；1015/cm2 （5）光刻漂移环以及背面，两面离子注入形成阴极；剂量正面1014，背面1015 注入激活 950℃ 30S，（6）光刻正反面电极窗，BOE腐蚀开窗，生长Al电极;0.6-1um厚，合金化，400-500℃，20-30S	套	1	签订合同后1年半	北京

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