上海交通大学2025年10月政府采购意向
全部类型上海2025年09月12日
政府采购意向公告
政府采购意向
为便于供应商及时了解政府采购信息，根据《财政部关于开展政府采购意向公开工作的通知》（财库〔2020〕10号）等有关规定，现将点击登录查看 点击登录查看 2025年 10月政府采购意向采购意向公开如下：
| 序号 | 采购项目名称 | 采购品目 | 采购需求概况 | 预算金额（万元） | 预计采购时间 | 备注 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | 电子束曝光机 | A**** 其他仪器仪表 | 电子束曝光机，2台，电子束曝光机要求为：1）分辨率：≤50 nm；2）加速电压：1–100 kV；3）光斑尺寸：≤16 nm；4）真空度：<10⁻⁶ Torr；5）定位精度：≤1 nm。供货期：签订合同之日起，24个月货到采购人指定地点并安装验收完毕。具体事宜由成交供应商按采购人指定地点及时间安排要求执行。 | 3800 | 2025-10 | |
| 2 | 复合镀膜系统 | A**** 其他仪器仪表 | 含有电子束蒸镀腔、低温热蒸镀腔以及磁控溅射腔三个主要腔室。电子束蒸镀腔极限真空<1.0x10-6Pa，含有 4个蒸发源。磁控溅射腔极限真空<1.0x10-7Pa，含有 8 个靶枪，可独立进气。热蒸发蒸镀室极限真空<1.0x10-6Pa，样品台温度低于10K，热蒸发坩埚不少于3个，带有氦气进气系统，配有高精度流量控制仪。各腔室带有独立膜厚测量仪，膜厚均匀性好于±5%。 | 700 | 2025-10 | |
| 3 | 低温 SQUID测量系统 | A**** 其他仪器仪表 | 无液氦制冷，制冷功率大于1.5W@4K，变温范围：≤1.6K-325K；矢量磁体：9-1-1T；磁体电源：6 V, 120 A，四象限；样品腔内径不小于60mm；带2套SQUID测量芯片及室温电路；带频谱仪（频谱范围DC-200kHz）；带温控仪及温度计；带主动减震系统。 | 300 | 2025-10 | |
| 4 | 低温步进与扫描系统 | A**** 其他仪器仪表 | 液氦杜瓦体积不小于150 L，磁体为9T-1T-1T，冷孔直径不小于100mm。磁体电流<120A，磁场稳定性：<50ppm/h；电流引线3对，磁体电源：6 V, 120 A，四象限。带液氦闭循环系统；带测试插杆套件，最低温度可达1.2K。压电扫描器与步进器：扫描范围30x30 um²，步进范围：5x5x5 mm，兼容极低温强磁场。扫描控制系统：信号采集通道精度与速率18bit 1MS/s，输入噪音 <150 nV/√Hz@10 kHz, <650 nV/√Hz@10Hz，输入输出电压范围：±10 V；输入通道16个，输出通道16个。带主动减震系统。 | 400 | 2025-10 | |
| 5 | 湿式稀释制冷机扫描探针显微镜系统 | A**** 其他仪器仪表 | 1、稀释制冷机：最低温度：≤20mK；稳定度0.1mK，制冷功率280uW@100mK；样品空间直径不小于60mm；同轴线通道不少于40个。2、磁体为9T-1T-1T，冷孔直径不小于100mm，杜瓦体积不小于150 L；磁体电流<120A，磁场稳定性：<50ppm/h；电流引线3对；磁体电源：6 V, 120 A，四象限。3、带液氦闭循环系统。4、压电扫描器与步进器：扫描范围30x30 um²，步进范围：5x5x5 mm，兼容极低温强磁场。5、扫描控制系统：信号采集通道精度与速率18bit 1MS/s，输入噪音<150 nV/√Hz@10 kHz,<650 nV/√Hz@10Hz，输入输出电压范围：±10 V；输入通道16个，输出通道16个；带音叉振荡控制系统和锁相环。6、精密源表（可输出±32V）4台；高压精密源表（可输出±100V）4台，分辨率1pA /100nV；精密锁相放大器8台，灵敏度区**** | 1000 | 2025-10 | |
| 6 | 极低噪声低温恒温系统 | A**** 其他仪器仪表 | 极低噪声低温恒温系统，1套，极低噪声低温恒温系统要求为：1）等效噪声密度≤5nV/√Hz；2）无负载基础温度：≤10mK；3）20mK时制冷功功率：≥12μW；100mK时制冷功率：≥400μW；4）无热负载下从室温（~300K）降到最低温（≤10mK）花费时间：≤40小时；5）无热负载下，可在基础温度下（≤15mK）持续运行时间：≥30天。供货期：签订合同之日起，24个月货到采购人指定地点并安装验收完毕。具体事宜由成交供应商按采购人指定地点及时间安排要求执行。 | 530 | 2025-10 | |
| 7 | 离子束刻蚀设备 | A**** 其他仪器仪表 | 离子束刻蚀设备，1台，离子束刻蚀设备要求为：1）离子能量：100–2000 eV；2）刻蚀速率：1–100 nm/min；3）各向异性：>90%；4）均匀性：±4% (for 4 inch)。供货期：签订合同之日起，24个月内货到采购人指定地点并安装验收完毕。具体事宜由成交供应商按采购人指定地点及时间安排要求执行。 | 1200 | 2025-10 | |
| 8 | 真空多腔体磁控溅射系统 | A**** 其他仪器仪表 | 真空多腔体磁控溅射系统，1台，真空多腔体磁控溅射系统要求为：1）真空度：≤6.7*10⁻⁵ Pa；2）射频源功率：≥500 W；3）薄膜均匀性：±5 % （for 4 inch）；4）沉积温度：室温至500°C。供货期：签订合同之日起，24个月内货到采购人指定地点并安装验收完毕。具体事宜由成交供应商按采购人指定地点及时间安排要求执行。 | 390 | 2025-10 | |
| 9 | 深硅刻蚀设备 | A**** 其他仪器仪表 | 深硅刻蚀设备，1台，深硅刻蚀设备要求为：1）刻蚀深度：10–500 µm；2）深宽比：>20：1；3）刻蚀速率：1–10 µm/min；4）侧壁垂直度：≥89°。供货期：签订合同之日起，24个月货到采购人指定地点并安装验收完毕。具体事宜由成交供应商按采购人指定地点及时间安排要求执行。 | 780 | 2025-10 | |
| 10 | 反应离子刻蚀设备 | A**** 其他仪器仪表 | 反应离子刻蚀设备，2台，反应离子刻蚀设备要求为：1）工作压力范围：1 Pa 至 10 Pa；2）刻蚀分辨率：≤50 nm；3）射频功率范围：100 W 至 1000 W；4）支持基片尺寸：150 mm；5）刻蚀均匀性：≤±3%。供货期：签订合同之日起，24个月货到采购人指定地点并安装验收完毕。具体事宜由成交供应商按采购人指定地点及时间安排要求执行。 | 540 | 2025-10 | |
| 11 | 铁基纳米线掩膜生长系统 | A**** 真空应用设备 | 掩膜分子束外延一台。配套八个蒸发源安装法兰口，高中温源3个，低温源2个，配套15kV反射式高能电子衍射仪及其分析软件。供货期:签订合同之日起，24个月货到采购人指定地点并安装验收完毕。具体事宜由成交供应商按采购人指定地点及时间安排要求执行。 | 500 | 2025-10 | |
| 12 | 激光浮区炉 | A**** 其他仪器仪表 | 激光功率2KW，温度>2500摄氏度，无坩埚生长，温度梯度<1度/1 cm，最大生长位移>100 mm，可提供晶体生长所需的多种气氛环境。 | 510 | 2025-10 |
本次公开的采购意向是本单位政府采购工作的初步安排，具体采购项目情况以相关采购公告和采购文件为准。
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信息来源：http:****
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